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厂商型号

BUZ73 H3046 

产品描述

MOSFET N-Channel 200V Transistor

内部编号

173-BUZ73-H3046

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:1
最小起订量:1
美国加州
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BUZ73 H3046产品详细规格

规格书 BUZ73 H3046 datasheet 规格书
BUZ 73 H
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 200V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 7A
Rds(最大)@ ID,VGS 400 mOhm @ 4.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 530pF @ 25V
功率 - 最大 40W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 7A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 200V
标准包装 500
供应商设备封装 PG-TO220-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 400 mOhm @ 4.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 40W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 530pF @ 25V
安装风格 Through Hole
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 7 A
系列 BUZ73
RDS(ON) 400 mOhms
功率耗散 40 W
最低工作温度 - 55 C
典型关闭延迟时间 55 nS
零件号别名 BUZ73H3046XKSA1 SP000683002
上升时间 40 nS
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 200 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 30 nS

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